美國(guó)SVT公司ALD原子層沉積系統(tǒng)

自1990年來(lái)薄膜淀積設(shè)備制造商。
擁有獨(dú)立的室內(nèi)實(shí)驗(yàn)室用于材料研究和工藝開(kāi)發(fā)。
提供廣泛的服務(wù)，包括淀積設(shè)備、淀積部件、集成傳感器以及工藝控制
設(shè)備制造和工藝技術(shù)的高度結(jié)合，為客戶提供可靠的技術(shù)服務(wù)
實(shí)驗(yàn)室7臺(tái)應(yīng)用淀積設(shè)備生長(zhǎng)出的材料
多條設(shè)備生產(chǎn)線幾乎覆蓋了整個(gè)薄膜淀積設(shè)備市場(chǎng)
在薄膜淀積領(lǐng)域擁有超過(guò)120臺(tái)設(shè)備的供應(yīng)商。

NorthStar ALD系統(tǒng)介紹

NorthStar ALD原子層沉積系統(tǒng)提供各種淀積方法，包括熱淀積以及能量增強(qiáng)淀積。
每臺(tái)設(shè)備可以提供多達(dá)8個(gè)源管路以及一個(gè)熱壁淀積腔，使其應(yīng)用范圍極為廣泛。
設(shè)備的快速艙口蓋或裝載室（可選件）使樣品操作快捷方便。
NorthStar ALD系統(tǒng)不但能跟其他設(shè)備連接起來(lái)，還能連接多種測(cè)量?jī)x器。
原位測(cè)量工具以及RoboALD軟件自動(dòng)化系統(tǒng)提高了工藝的再現(xiàn)性。
可以直接升級(jí)至超高真空
提供工藝演示以及工藝培訓(xùn)服務(wù)
為潛在客戶提供免費(fèi)樣品測(cè)試。

應(yīng)用領(lǐng)域

High-K電介質(zhì)
納米涂層
MEMS
光子晶體
擴(kuò)散阻擋層
器件封裝
表面改性層

技術(shù)參數(shù)

為科研客戶量身打造優(yōu)質(zhì)的原子層沉積系統(tǒng)。
提供4"、6"、8"、12"等多種尺寸的樣品平臺(tái)。
針對(duì)客戶的需求，提供多種輸氣設(shè)計(jì)。
---可控真空度: 1 Torr to UHV
---氣道加熱
---氣體快速進(jìn)出
---樣品尺寸: 4in standard, optional 12in
---基底加熱: up to 300 ℃, optional higher temp

主要特點(diǎn)

安全的設(shè)計(jì)，多樣化的配置，測(cè)試手段。
精確的控制手段打造*的成膜質(zhì)量。強(qiáng)大的科研團(tuán)隊(duì)鑄就雄厚的科技實(shí)力。
---氣體離子化
---臭氧輸送裝置
---石英振蕩器
---四重質(zhì)量分光計(jì)
---實(shí)時(shí)溫度顯示
---橢偏儀
---進(jìn)樣室